超精密平面拋光之先驅

   目前日本之光電材料及特殊硬脆材料等基板之製造廠大多
採用日本Engis公司超精密拋光專業設備、技術及優異磨料，
例如單晶碳化矽(SiC)、藍寶石(Sapphire)、氮化鋁(AlN)、氮化
鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、鉭酸鋰(LiTaO3)、鈮酸鋰(LiNbO3)
等基板，因為日本Engis可以針對光電、通訊業界特殊需求，
使用自行生產之磨料及設備研究開發出實用之製程。

    研磨拋光製程上相對困難的單晶碳化矽基板，在高階藍光
LED表現上比藍寶石基板更加優勝，因為單晶碳化矽基板的
熱傳導率約4.9W/cm.k，而藍寶石基板(單晶氧化鋁)目前只有
0.46W/cm.k，以及沒有導電性,但是單晶碳化矽基板有導電性,
並且晶格常數之整合度比藍寶石基板較高，因此,在模組設計
上可以雙面利用。

    雖然單晶碳化矽基板價格比藍寶石基板昂貴，可是在日本
的單晶碳化矽基板相關的各大廠商正如火如荼地研究開發，
目前單晶碳化矽基板量產大多是2吋，並且4 吋之單晶碳化矽
基板業已開發完成並正在量產中，現階段日本共有兩種單晶
碳化矽基板，絕大多數廠商是採用日本Engis公司之拋光設備
及專業技術，目前2~3吋基板之拋光精度如下:

Ra＜0.5nm. TTV＜10μm. Bow\Warp＜10μm
    在日本之藍寶石基板廠商採用3吋，而6 吋藍寶石基板也已
經量產，日本Engis公司亦提供給日本藍寶石基板廠商精密拋
光設備、樹脂銅盤以及鑽石液等耗材，所以日本Engis可稱謂
超精密平面拋光業界之領導品牌。
    現在日本國內之LED散熱用的氮化鋁基板要求面粗度需要
達到3nm以下，因此日本Engis以Lapping加工製程已經達到約
1nm左右，並依客戶實際需求加以研發新的拋光製程，解決
客戶在拋光技術及製程上之盲點。